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硒化铋晶体 Bi2Se3（Bismuth Selenide） 晶体尺寸：10毫米 电学性能：拓扑绝缘体 晶体结构：菱面体 晶胞参数：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化镓晶体 2H-GaSe（Gallium Selenide） 晶体尺寸：10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化锗晶体 GeSe （Germanium Selenide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：斜方晶系 晶胞参数：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化铪晶体 HfSe2（Hafnium Selenide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化铟晶体 In2Se3（Indium Selenide） 晶体尺寸：8-10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钼晶体 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学特性：P型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：99.995%
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